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注：图像仅供参考，请参阅产品规格
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产品参数
产品手册
常见问题
产品参数
| 产品属性 | 属性值 |
| 制造商: | Infineon |
| 产品种类: | IGBT 晶体管 |
| RoHS: | 详细信息 |
| 技术: | Si |
| 封装 / 箱体: | TO-247-3 |
| 安装风格: | Through Hole |
| 配置: | Single |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO: | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压: | 1.35 V |
| 栅极/发射极最大电压: | - 20 V, + 20 V |
| 在25 C的连续集电极电流: | 80 A |
| Pd-功率耗散: | 274 W |
| 最小工作温度: | - 40 C |
| 最大工作温度: | + 175 C |
| 系列: | TRENCHSTOP 5 S5 |
| 封装: | Tube |
| 商标: | Infineon Technologies |
| 栅极—射极漏泄电流: | 100 nA |
| 高度: | 20.7 mm |
| 长度: | 15.87 mm |
| 工作温度范围: | - 40 C to + 175 C |
| 产品类型: | IGBT Transistors |
| 工厂包装数量: | 240 |
| 子类别: | IGBTs |
| 商标名: | TRENCHSTOP |
| 宽度: | 5.31 mm |
| 零件号别名: | SP001319682 IKW50N65ES5XKSA1 |
| 单位重量: | 38 g |
常见问题
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