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| 参数 | 属性值 |
| 描述 | TRANS NPN 100V 2A SOT223-4 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NSV1C201MZ4T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 180mV @ 200mA,2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 500mA,2V |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 100V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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