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注：图像仅供参考，请参阅产品规格
数据手册
产品参数
产品手册
常见问题
产品参数
| 参数 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商: | Nexperia |
| 技术: | Si |
| 安装风格: | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体: | SOT-23-3 |
| 晶体管极性: | NPN |
| 配置: | Single |
| 最大直流电集电极电流: | 3.8 A |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO: | 60 V |
| 集电极—基极电压 VCBO: | 60 V |
| 发射极 - 基极电压 VEBO: | 5 V |
| 集电极—射极饱和电压: | 215 mV |
| Pd-功率耗散: | 390 mW |
| 增益带宽产品fT: | 175 MHz |
| 最小工作温度: | - 55 C |
| 最大工作温度: | + 150 C |
| 封装: | Reel |
| 封装: | Cut Tape |
| 商标: | Nexperia |
| 集电极连续电流: | 3.8 A |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min: | 30 |
| 直流电流增益 hFE 最大值: | 200 at 500 mA, 2 V |
| 产品类型: | BJTs - Bipolar Transistors |
| 工厂包装数量: | 4000 |
| 子类别: | Transistors |
常见问题
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