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| 参数 | 属性值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23MOSFET SOT-23 N-CH LOGIC |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 170 mA |
| Id-连续漏极电流 | 170 mA |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor BSS123- |
| Pd-PowerDissipation | 0.36 W |
| Pd-功率耗散 | 360 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 73pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 欧姆 @ 170mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 其它名称 | BSS123NDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
| 功率-最大值 | 360mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 60 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.8 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 170mA （Ta） |
| 系列 | BSS123 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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