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参数 | 属性值 |
描述 | OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8SMD高速光耦合器 HI-SPEED SM LEAD BEND |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品型号 | 6N136SDM |
上升时间 | 0.8 us |
下降时间 | 0.8 us |
产品种类 | 高速光耦合器 |
供应商器件封装 | 8-SMD |
其它名称 | 6N136SDMDKR |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 720 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SMD,鸥翼型 |
封装/箱体 | SMD-8 |
工作温度 | -40°C ~ 100°C |
工厂包装数量 | 1000 |
打开/关闭时间(典型值) | 800ns, 800ns (最小值) |
数据速率 | 1 MBd |
最大功率耗散 | 100 mW |
最大反向二极管电压 | 5 V |
最大工作温度 | + 100 C |
最大正向二极管电压 | 1.7 V |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向电流 | 25 mA |
每芯片的通道数量 | 1 Channel |
电压-正向(Vf)(典型值) | 1.45V |
电压-输出(最大值) | 20V |
电压-隔离 | 5000Vrms |
电流-DC正向(If) | 25mA |
电流-输出/通道 | 8mA |
电流传输比(最大值) | 50% @ 16mA |
电流传输比(最小值) | 19% @ 16mA |
电流传递比 | 38 % |
系列 | 6N136M |
绝缘电压 | 5000 Vrms |
输入类型 | DC |
输出类型 | 有基极的晶体管 |
输出设备 | Phototransistor |
通道数 | 1 |
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